当变容二极管处于正向偏置状态时，其结构中的P区域接入正电压，N区域接入负电压。 由于P区域的空穴浓度大于N区域的电子浓度，所以空穴会向N区域扩散，而电子则会被N区域的负电压吸引，从而形成耗尽层。 在这种状态下，变容二极管的正向偏置将使得耗尽层的宽度减小，电容量增加。 此时，变容二极管会表现出更大的电容性质，可以用于电容调节和变容调节等应用。