主要区别在于它们的内部构造和工作原理。
NAND闪存是一种非易失性存储器，它使用了NAND门电路来储存数据。
它具有高容量、高速度和低功耗的特点，适用于大容量数据存储，如固态硬盘（SSD）和闪存卡。
NAND闪存以块为单位进行读写操作，并且在写入数据之前需要先擦除整个块，这会导致擦写次数的限制。
因此，NAND闪存在随机写入速度和持久性上相对较弱。
DRAM闪存是一种易失性存储器，它使用了动态随机存取存储器（DRAM）的技术来储存数据。
它通过电容来储存数据，需要定期刷新以保持数据的有效性。
DRAM闪存具有快速的访问速度和较高的数据输入和输出能力，适用于计算机内存和缓存存储器。
然而，DRAM闪存需要较高的功耗，并且在断电时会丢失存储的数据。
因此，NAND闪存和DRAM闪存在存储容量、速度和功耗等方面存在差异。
NAND闪存适用于需求大容量和低功耗的应用，而DRAM闪存适用于要求高速读写和数据临时存储的应用。