前照式CMOS是光敏元件和传感器电路位于同一侧，光线透过透明电介质进入光敏元件。
这种构造使得光线可能会被透明电介质散射或吸收，导致信号衰减或破坏。
背照式CMOS则将传感器电路放置在光敏元件的背面。
光线可以直接进入光敏元件而无需穿过透明电介质。
这种构造避免了光线的散射或吸收，提高了传感器的光量和噪声性能。
因此，背照式CMOS相比前照式CMOS在低光条件下具有更高的灵敏度和噪声性能。
同时，背照式CMOS还能够捕捉到更多入射光线，提供更高的动态范围和更好的图像质量。
综上所述，前照式CMOS和背照式CMOS的主要区别在于光敏元件和传感器电路的位置布置，背照式CMOS相比前照式CMOS具有更优秀的低光性能和图像质量。